威廉·肖克利

主要经历

1932年，在加州理工学院获学士学位。
1936年，在麻省理工(MIT)获固体物理学博士学位，后留校任教。
1936-1955年，在贝尔实验室工作，曾任晶体管物理部主任。
1938年，获第一个专利“电子倍增放电器”。
1947年，与另两位物理学家共同发明了晶体管。这个用来代替真空管的电子信号放大元件，成为电子工业的强大引擎，被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。
1951年，成为美国国家科学院院士。
1955-1963年，在硅谷创办肖克利半导体实验室。因为个人的管理方法和公司内部不合，八名主要员工于1957年集体跳槽成立了仙童半导体公司，后来开发了第一块集成电路。
1956年1月，被授予诺贝尔物理奖。
1960年，肖克利实验室卖给了克莱维特实验室。
1965年，又转卖给了AT&T。
1963年，到斯坦福大学做教授。
1989年，逝世。

主要成就

1947年，与沃尔特·布莱登和约翰· 巴丁，发明出了“点接晶体管放大器”。
1950年11月，出版“半导体中的电子和电洞”一书，是基于在贝尔实验室所给的一系列演讲写成的，成为这个专业的经典著作。
1951年，领导研究小组研制出第一个可靠的结型晶体管。